Chip nhớ mới của Samsung hứa hẹn giúp điện thoại chạy nhanh và pin lâu hơn

Sản phẩm số | 14:33 Thứ Tư ngày 18/07/2018
(HNMO) - Trong thời gian qua, Samsung đầu tư khá nhiều công sức cho việc cải thiện các sản phẩm bộ nhớ flash của mình, bao gồm cả việc tung ra ổ lưu trữ thẻ rắn với tốc độ ghi dữ liệu nhanh hơn và khai trương nhà máy di động lớn nhất thế giới.


Tuy nhiên, hãng điện tử Hàn Quốc cũng không lơ là các nỗ lực phát triển công nghệ gốc, và mới đây tiết lộ đã hoàn tất mẫu thử nghiệm chip bộ nhớ DRAM LPDDR5 8Gb mới.

So với các chip đang có trong điện thoại di động và máy tính bảng hiện nay, chip mới này nhanh hơn, tiết kiệm điện hơn (một phần nhờ quy trình sản xuất 10nm), và đặc biệt rất phù hợp với các ứng dụng học máy và trí tuệ nhân tạo (vốn sẽ là thế mạnh của thế hệ điện thoại thông minh tiếp theo).

So với các chip LPDDR4X, chip LPDDR5 mới có tốc độ truyền dữ liệu nhanh hơn 1,5 lần. Ở mức 6.400 Mbps, chip nhớ mới có thể truyền 51GB (tương đương 14 bộ phim HD) chỉ trong 1 giây. Mỗi chip đều có thể vận hành ở hai trạng thái tốc độ, 6.400 Mbps ở điện thế 1,1V hoặc 5.500 Mbps ở 1,05V.

LPDDR5 cũng được thiết kế đặc biệt nhằm giảm điện thế khi ở trạng thái vận hành, đồng thời có thể kích hoạt chế độ ngủ sâu (Deep Sleep), cho phép giảm tới một nửa điện năng tiêu thụ so với chế độ rỗi (Idle) của LPDDR4X. Nhờ vậy, trung bình nó có thể tiết kiệm điện hơn 30%.

Hiện nay, Samsung chưa tiết lộ gì về lộ trình đưa LPDDR5 ra thị trường, mà mới chỉ cho biết việc sản xuất sẽ phụ thuộc nhiều vào nhu cầu từ các đối tác trên toàn cầu của hãng (trong đó có cả Apple). Tuy nhiên, với chu kỳ thường lệ, nhiều khả năng loại bộ nhớ này sẽ xuất hiện trên các dòng sản phẩm cao cấp vào đầu năm 2019.
Nguyễn Thúc
Từ khoá
Bình luận
Gõ tiếng Việt có dấu, tối thiểu 15 chữ
Thông báo